Bu çalışmada, Al/Zn3%-PVA/P-Si yapılarının hazırlanması ve elektriksel davranışlarının incelenmesi amaçlanmıştır. Metal-yarıiletken (MY) yapısında, yalıtkan, polimer ve ferroelektrik gibi bir ara tabaka bulunmaktadır. Bu ara tabaka, metal ve yarıiletken arasındaki reaksiyonu önlemekle kalmaz, aynı zamanda diyot veya güneş hücresi gibi yapıların performansını ve kalitesini artırır. Metal ve yarıiletken arasındaki yalıtkan tabakanın kalınlığı ve oluşum kalitesi, ana elektriksel değerleri etkileyen önemli parametrelerdir. Son zamanlarda, düşük maliyetleri, kolay büyümeleri, esneklikleri ve iyi performansları nedeniyle geleneksel yalıtkan tabakalar olan SiO2 ve SnO2'ye alternatif olarak polimer tabanlı MY yapıları araştırmacıların ilgisini çekmektedir. Ayrıca, düşük dielektrik sabitine sahip geleneksel arayüz yalıtkanı veya oksit tabakası, yarıiletken yüzeyindeki aktif asılı bağları tamamen pasifleştiremez. Öte yandan, yüksek dielektrik malzemesi kullanmanın, seri direnci (Rs), yüzey durumlarını (Nss), sızıntı ters akımını (IR) azaltabileceği, şunt direncini (Rsh), doğrultma oranını (RR = IF / IR) yeterince yüksek ileri ve ters biaslı durumlarda artırabileceği ve bariyer yüksekliğini (FB) artırabileceği bilinmektedir. Birçok bilimsel çalışmada, yarıiletken ve polimer arasında arayüz tabakası olarak kullanılmak üzere çeşitli malzemeler polimer matrisine eklenmiştir. Bu çalışmada, Al/Zn3%-PVA/P-Si yapılarının elektriksel ve dielektrik özelliklerini iyileştirmek için yarıiletken ve polimer arasına arayüz tabakası olarak farklı malzemeler eklenmiştir. Bu çalışmalar, polimer tabakaların MY yapılarına göre daha iyi performans gösterdiğini göstermiştir.(AI)